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RF SOI and SiGe Technologies

射频SoI与矽锗技术

针对移动和其他的应用,射频产品优化了其在集成、性能和功耗之间的平衡

可移动性、物联网和5G时代的竞争驱动着行业增长和商业机会。而所有这些都需要超前的半导体技术来满足不断增长的客户需求、更大的复杂性和不断进化并愈发具有挑战性的行业标准。

建于高性价比的半导体科技之上,格芯射频绝缘衬底硅片(SOI)和矽鍺(SiGe)产品被设计用来为差异化的射频(RF)解决方提供性能、集成潜能和功耗的最优组合和平衡,以使得这些射频(RF)解决方案能领先于市场需求。射频SOI和SiGe技术组合覆盖多个加工处理科技节点,并且包括:

  • 移动优化的SOI和SiGe功率放大器技术系列,可以适用于移动设备,网络接入点,物联网以及其他设备中的蜂窝网络和Wi-Fi前端模块。
  • 先进的RF SOI技术,45RFSOI,应用于集成毫米波前端模块、5G基站与智能手机的波束赋形器、互联网宽带卫星相位阵列前端、雷达和其他高端应用。
  • 性能最优化的SiGe技术可以针对高要求的射频方案,应用于航空航天、汽车自动化、工业化、数据沟通和测试仪器应用。

格芯射频SOI和SiGe技术同样包括:

  • 综合物理设计套装和设计实现手段,以及从模型到硬件关联精准定义
  • 精深的专业制造经验,超过数十亿颗芯片已销售给多个行业领导客户
  • 扩大的制造能力和产量
  • 源源不断的投资、创新、以及达成技术实现和技术增强的发展规划。

有条不紊进行的高性价比多项目晶圆(MPW)通过MOSIS服务,让设计原型可快速实现,以便设计结果能更快地在硬件上得以体现。请联系格芯的销售人员以确定最新的多项目晶圆制造时间表。

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