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130/180nm

130/180纳米

模拟电路、供电电路、混合信号与射频应用的理想平台

格芯提供从180纳米到40纳米的主流平台,为批量生产、行业匹配的流程提供混合技术解决方案。130/180nm 平台包括了拥有良好记录的成熟工艺技术,适用于模拟电路、供电电路、混合信号。该平台特别针对 BCDlite®/BCD、高电压操作和射频/混合信号的射频类应用。

目前的技术包括:电路逻辑,模拟/混合信号,高电压/高功率,射频,和嵌入式闪存/一次性写入储存/可复写储存。目前已经有多种已设计完成的解决方案,以及来自格芯和领先的EDA/IP合作伙伴提供的经过规划验证的IP和攻击设计套件(PDK)。

重点提要:

  • Superior Do
  • 数百万使用成熟技术的晶圆已被售出
  • 目标应用
    • 供电、电池电量管理、以太网功率(POE)
    • 扬声器, 单片机
    • 交流直流转换器,LED照明,发动机驱动电流放大器
    • 无线收发器,无线通信前端模块
  • IP创新生态,通过合作创新计划长期提供的创新IP产品

技术平台

BCDlite®,来自格芯的创新

  • 类似于BCD但是拥有更加简化,更加高效,更加节约成本的处理工艺
  • 适用于高达65V的应用
  • 曾用于先进移动电话/平板电脑的PMIC和音频放大器
  • 模块化加工处理方案
  • 180nm BCDlite 平台
  • 单门5V & 双门 1.8V/5V方案
  • 超低内阻高电压设备
  • 多种被动方案选择:高分辨率电子系统,低温度系数电阻,MIM&MOM电容, 稳压二极管,肖特基二极管,霍尔传感设备
  •  
  • 汽车一级认证
  • 130nm BCDlite 平台
  • 1.5V & 5V CMOS 加工处理
  • 超低内阻高电压设备
  • 多种被动方案选择:高分辨率电子系统,MIM&MOM电容, 稳压二极管,肖特基二极管, 5V N/P型晶体管开关
  • 多样化IP支持:静态存储器,eFUSE,单次写入存储,多次写入存储和 eFlash
  • 130nm BCD 平台
  • 1.5V & 5V CMOS 加工处理
  • 超低内阻高电压设备
  • 超高压支持
  • 多种被动方案选择:高分辨率电子系统,MIM&MOM电容, 稳压二极管,肖特基二极管, 5V N/P型晶体管开关
  • 多样化创新支持:静态存储器,eFUSE,单次写入存储,多次写入存储、eFlash
  • 汽车认证等级0(开发中)
  • 180nm 微控制单元平台
  • 单门 3.3V &单门 5V方案
  • 低成本处理工序与低光罩数量
  • 完整IP方案:静态存储器,eFUSE,单次写入存储,多次写入存储
  • 完美适用于消费型微控制单元、模拟电路/供电电路应用
  • 130G 平台
  • 1.2V & 2.5/3.3V 方案
  • 在1.2V和3.3V状态下,其成本可与110TS竞争
  • 完整IP方案:静态存储器,eFUSE,单次写入存储
  • 能够理想的满足SoC对于速度/功率一般要求
  • 130LP 平台
  • 1.5V 和 3.3V方案
  • 完整IP方案:静态存储器,eFUSE,单次写入存储,可擦可编程只读存储器
  • 完美适用于便携式式低功率设备

 

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