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22FDX®

22FDX® 平台

22FDX®提供一个集合了高性能、低功耗、低成本物联网、主流移动设备、无线通信互联以及网络的的优秀搭配。

22FDX®平台采用22纳米全耗尽式绝缘体硅片(FD-SOI)技术, 能够提供与FinFET媲美的性能与节能表现,以及和28纳米普拉纳技术相似的成本水平。尽管某些应用需要追求三维FinFET带来的超高性能,但是大部分无线设备更多的是需要一个性能、功耗和成本之间的平衡。

22FDX® 为更多的考虑成本的应用提供了一个出色的选择。相比28纳米技术,22FDX平台的模具尺寸小20%,同时减少了10%的光罩数量。而且,相比FinFET铸造,22FDX®减少了近50% 液浸式光刻所需的层数。

 

  • 0.4V供电情况下的超低功耗
  • 软件可控型晶体管的基极偏置带来性能与功耗间的灵活转换
  • 减少50%功耗、减少基极效应、降级系统成本的集成式射频
  • 比28HKMG低70%的功耗

22FDX® 平台包括一系列的独特产品,这些产品使得应用可以跨越不同领域的市场:

22FDX-ULP: 超低功耗

  • 比28HKMG低70%的功耗
  • 与FinFET媲美的性能
  • 0.4V供电情况下的超低功耗
  • 性能与功耗以及体偏置的动态权衡

22FDX-ULL: 超低漏电

  • 超低静电泄露的额外设备 (~1pA/μm)
  • 超低泄露SRAM,漏电量 <1pA/单元
  • BTLE, Zigbee 和Thread创新IP

22FDX-RFA: 射频与模拟

  • 射频与模拟接触:降低系统成本和功耗
  • 电阻、电容、电感、传输线、变压器
  • 射频 BEOL配以超厚金属堆栈
  • 利用体偏置达成RF设计实现
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