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Embedded Memory

嵌入式内存

用可投产的高性价比内存方案来解决可靠性和供电难题

格芯主流技术平台,从180纳米到40纳米,涵括了多样化的嵌入式内存方案,包括:130nm 和55nm eFlash非挥发性内存。eFlash方案,联合射频与模拟技术实现以及全面的IP能力,支持高性能和高可靠性的多种应用,例如:

Embedded Memory Product Brief

  • 高可靠性MCUs和AEC-Q100汽车自动化1级标准
  • 工业化MCUs, IoT网关与智能卡
  • 物联网,可穿戴式设备,只能设备与传感器中枢
  • 无线可连接性与MCU(55nm LPx)集成
  • 模拟电路功能与MCU(130nm BCDlite®)集成
  • 其他内存方案包括:eFuse、EEPROM、OTP和通过了硅片制作与验证的MTP设计方案。


55nm eFlash 重点提要

  • SST ESF3 第3 代超级闪存技术
  • 连接速度:快至10纳秒
  • 耐久能力: 20万个周期
  • 数据维持能力:运行温度下可维持数十年(商业运行温度为85°C,汽车1级标准运行温度为 125°C)

应用提要

MCU/物联网

  • 针对消费者应用市场的高成本效率
  • 针对工业的高可靠性和持续性
  • 针对汽车自动化1级(AEC Q100) 产品的高温运行能力
  • 硅匹配的射频模型,针对无线连接MCU
  • 物联网应用的超低功耗方案

安全识别,射频识别,标签识别

  • 在制定模块中超过20万次的写入/删除周期
  • "通用指标" EAL6 认证的执照设施
  • 银行卡级最高设施安全级别
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