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SiGe HP技术

SiGe HP技术

适用于严苛的高速、低噪声应用的性能优化平台

格芯高性能硅锗BiCMOS技术系列SiGe HP针对当前和新兴的各类性能型RF应用进行了优化。

   
性能
性能/
价值
平台SiGe 9HPSiGe 8XPSiGe 8HPSiGe 8WLSiGe 7WL
主要特性
CMOS节点90 nm130 nm180 nm
NPN Ft/Fmax (GHz)310/370250/340200/265100/20060/120
应用
汽车雷达XXX  
汽车激光雷达  X  
无线基础设施XXX  
手势感应 X   
光通信:数据中心XX   
光通信:PON/GPON  XXX
高速串行接口:USB/PCIe XXX 
测试/测量系统XX   
航空航天和国防XXX  

SiGe HP平台提供差异化的性能,能够平衡集成度和价值。具备众多优势:

  • 集成广泛的数字和RF功能,同时利用久经验证、经济的硅技术基础
  • 器件利用异质结双极晶体管(HBT)获得出色的低电流/高频率性能,并能在高结温下工作
  • PDK包含广泛的标准和可选元素,包括以RF为中心的特性、厚电介质、厚金属和TSV,从而最大限度地提高设计灵活性和优化性能

GF的最高性能SiGe技术,SiGe 9HP,是完全经过GF的200mm制造工艺验证的,现已有PDK可用。SiGe 9HP向300毫米制造流程的迁移,通过提供更高的生产效率和可复制性来帮助您的公司满足市场需求,从而延续了公司的SiGe领导地位。9 HP在300 mm多项目晶圆上的客户打样正在进行中。  

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