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RF SOI Technologies

RF SOI技术

业界领先的性能和集成优势,非常适合4G LTE、毫米波和5G应用

作为RF行业的领先者,格芯与具有前瞻思维的公司密切合作,借助一系列成熟先进的RF SOI平台,实现全新的连接级别并迈入智能互联的新时代。这些平台面向低噪声放大器、RF开关、相控阵天线,以及先进4G LTE,毫米波波束成形和Sub-6 GHz 5G应用中RF前端模块集成的控制功能。

  • 出色的开关线性度和低Ron *Coff,适合高功率RF开关
  • 高压处理和高Pout能力
  • 高fmax和ft
  • 厚铜和铝BEOL,用于高Q
  • 极低的衬底损失
  • 久经验证的器件堆叠

8SW RF SOI

  • 业内首款300 mm RF SOI代工解决方案
  • 出色的开关+LNA+逻辑性能
  • 全铜互连,可承载更多电流
  • 与7SW相比,功率降低高达70%,Ron*Coff性能提高20%,整体芯片尺寸缩小20%
  • 300 mm RF SOI代工解决方案提供高集成度(开关、LNA、PA和逻辑)
  • 出色的RF CMOS PA性能
  • 全铜互连,包括2个用于高Q、高电流互连和无源器件的超厚铜金属层
  • 低泄漏、高集成度和高RF性能,适合小尺寸、长电池寿命应用

7SW RF SOI

  • 与7RF SOI相比,性能提升高达30%,芯片面积缩减高达30%
  • 低泄漏逻辑库可延长电池寿命
  • 专用晶体管可提高LNA的性能,实现更出色的接收范围和电池寿命
  • 可通过选项权衡Ron*Coff与功率处理性能,同时提供出色的线性度
  • 提供多种选项,帮助您达到设计和预算目标:
    • 低失真器件(LowD):提高性能,进一步降低插入损耗或芯片面积
    • 掩膜数更少(NoBTQ):产品针对RF开关进行价值优化
    • 300 mm衬底选项,提高生产力和成本效益
 
性能
性能/
价值
平台45RFSOI8SW RF SOI130RFSOI7SW RF SOI7RF SOI
主要特性 
CMOS节点45 nm130 nm130 nm180 nm180 nm
应用
集成式毫米波FEMX    
互联网宽带卫星终端的相控阵前端X    
Sub 6 GHz FEM XX  
汽车雷达X    
4G LTE先进和3G基站 XXXX
小型蜂窝XXX  
接入点X    
4G LTE先进和3G智能手机/平板电脑 XX  
物联网设备XXXXX
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