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如何利用22nm FD-SOI技术构建超低功率芯片

如何利用22nm FD-SOI技术构建超低功率芯片

  • Jamie Schaeffer
  • 24 9月 2015

Jamie Schaeffer博士将介绍业界首款22nm FD-SOI(全耗损绝缘硅绝缘体)技术平台的22FDX®,并介绍其如何李永奇独特的功能实现超低功耗设计。 本研讨会主要包括以下主题:

  • 22FDX平台概述
  • 0.4伏操作是如何减少的功率预算的
  • 通过动态主体偏置来优化功耗平衡
  • 将其全部放置于设计中

有关格芯22 FDSOI平台的更多信息,请访问:
globalfoundries.com/technologies/leading-edge-technologies/22fdx

如需观看该视频的中文字幕,请点击屏幕下方的“CC”按钮,并点击开启“官话”。

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