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GF Press Releases

格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM

9月 15, 2016

高性能嵌入式非易失性内存方案,是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择

         加州圣克拉拉,2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术(eMRAM),基于22FDX®平台,提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时,22FDX®具备了可以在260°C(在工业级别的可操作温度)回流焊接下维持数据的能力。

          格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布,应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅(FD-SOI)技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存(闪存)和工作内存(SRAM)设计,启用了超高效内存子系统,该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP,使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。

         “客户正在寻求高效非易失性内存方案,以增加自己产品的能力,”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Barltlett说道,“22FDX™ eMRAM的出现使系统设计者具备新的能力,将更好的功能实现在他们的MCU和SoC上,还能增进性能和功耗的表现。”

          无人汽车的出现极大推动了一系列的需求,包括对芯片对内存性能的需求,这些更好的内存性能主要用于实时图像处理,高精度和连续性3D拓录数据和下一代无线更新的汽车自动化MCU。格芯的eMRAM利用独特的方法解决了此些高级驾驶辅助系统(ADAS)的要求,合并比SRAM更高密度的内存、快速写入、超高耐用性和非易失性功能,这些都只有磁阻型内存才能做到。

         “新型非易失性内存正从研究阶段走向生产,”Coughlin联合公司主席Thomas Coughlin说道,“格芯的22FDX™ eMRAM将提供SoC能力上的极大的进步,利用了嵌入式MRAM的关键性能属性。电池供电的IoT设备、汽车MCU和SoC及SSD储存控制器的设计者必然会渴望利用此多样化嵌入式NVM技术的优势。”

          格芯22FDX™ eMRAM的出现,是公司与MRAM界的先驱Everspin技术公司多年合作的成果。双方的合作已在2016年8月为世界提供了最高密度的ST-MRAM—Everspin的256兆DDR3处置磁场通道结型(pMJT)产品,此产品现已在格芯准备投入大批量生产。

          格芯的22FDX™ eMRAM现正处于开发阶段,客户试用原型机预计于2017年问世,并于2018年投入量产。格芯的eMRAM比22纳米有更好的可扩展性,预期将在FinFET和未来的FDX平台推出。

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