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GF Press Releases

格芯在高级14nm FinFET工艺技术演示行业领先的56Gbps长距离SerDes

12月 13, 2016

2016年12月13日   经过验证的ASIC IP解决方案将为下一代高速应用提供显着的性能和功率效率

          加利福尼亚州圣克拉拉市, 20161213      格芯今天宣布,公司的14nm FinFET制程在硅片上表现出真正的长距离56Gbps SerDes性能。作为格芯高性能ASIC产品的一部分,FX-14™的56Gbps SerDes专门设计用以满足要求最苛刻的长距离高性能应用,更能帮助客户改进性能并提高效率表现。

          格芯的56Gbps SerDes内核可以支持PAM4和NRZ信号,具有能力稳定超过35dB的插入损耗,并且在目前最具挑战性的系统环境中去除了使用昂贵且耗电的中继器的必要性。凭借突破性的架构,56Gbps SerDes实现了市场领先的长距离性能,将超过新兴的50Gbps行业标准,如OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd。

          FX-14产品提供广泛的高速SerDes(HSS)解决方案,并在公司成熟的,经生产验证的马耳他Fab 8晶圆厂的14nm FinFET(14LPP)平台上制造。同类最佳的高性能56Gbps架构提供业界领先的抖动防噪和均衡能力支持,可在广泛的高速接口标准下提升系统性能,并将为当前及未来的前沿网络,计算和存储应用提供高速连接和低功耗解决方案。

         全球销售高级副总裁Mike Cadigan表示:“这一里程碑表明我们有能力设计出一流的ASIC解决方案,并以最具竞争力的电源和面积在最苛刻的网络和数据中心应用中以56Gbps的速度提供行业领先的性能。“格芯在SerDes的开发和ASIC专业经验方面上有长期的成功经验,加上格芯的14LPP技术,使我们的客户能够通过集成和高性能核心的方式将新的应用及时高效地推向市场。”

          “网络带宽的爆炸性增长继续推动了对业界领先的接口速度和密度的ASIC解决方案的需求”,Linley集团首席分析师Bob Wheeler说。“格芯已经提供了一个复杂的SerDes核心,可以快速地将一流的ASIC解决方案推向市场,从而提高下一代网络设备的带宽容量,可扩展性和电源效率。”

          格芯的FX-14设计系统通过超高性能56Gbps SerDes,PCI Express和多个30Gbps SerDes设计,以及对各种外部存储器接口的支持,扩展了公司HSS的领先地位。 格芯的嵌入式内存解决方案包括业界最快,功耗最低的嵌入式TCAM。与之前的的产品相比,其性能提高了60%,泄漏量减少了80%,并配以密度和性能优化的SRAM。

          客户目前正在使用56Gbps和其他FX-14 SerDes内核在14LPP制程技术上设计先进的ASIC解决方案。格芯目前正在客户渠道展示其56Gbps SerDes,并将于2017年第一季度初开始发布开发板。对于下一代数据通信网络,格芯正在开发先进的电气解决方案,便于移植,以及光学变体,实现在技术上广泛地达到并超过112Gbps。

          欲了解有关格芯高性能ASIC解决方案的更多信息,请访问www.globalfoundries.com/ASIC

关于格芯

          格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商,为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计,开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能,并且帮助客户拥有塑造市场的力量。  格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息,请访问公司官方网站 http://www.globalfoundries.com

 

联系人:

Jason Gorss

电话:(518)698-7765

jason.gorss@globalfoundries.com

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