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GF Press Releases

格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术

9月 15, 2016

公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图

          加州 圣克拉拉,2016915 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。

          对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品,格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术,配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。

          “格芯在从14纳米直接跳跃到7纳米,这一技术上的大胆的决定得到了很多领先半导体公司的支持,特别是当他们知道成本高昂的10纳米技术只能带来有限的性能和功率优势”,TIRIAS研究公司的创办人及分析部主任Jim McGregor说道。“如同28纳米与16/14纳米制程节点,7纳米技术至少在下一个10年内将成为主要节点,并将被整个半导体行业大量使用。”

          “对于加强下一代计算机体验的计算和图像产品规划来说,类似格芯7纳米FinFET这样的领先技术是关键因素,”AMD主席及总裁Lisa Su博士说道。“我们渴望与格芯继续密切合作,并期待见证格芯在近几年将14纳米技术中展现出的可靠执行与技术基础延续到7纳米技术上。”

           “IBM承诺,将推动半导体科技的极限作为积极长期研究的计划,并提上战略日程。”IBM研究中心高级副总裁 Arvind Krishna说道,“IBM研究中心持续与格芯合作开发新概念、新技巧与新科技,并一起加速我们在7纳米技术和将来的共同研究。”

           格芯将展示一个全面的且富有竞争力,并能与制程开发一同优化的IP库。为使客户加快对7纳米技术的采用,格芯拓展了它的战略合作伙伴范围,现与INVECAS建立合作关系,合作范围超越14LPP和FDX™制程,现已涵盖了7纳米制程技术的铸造IP开发。这将为客户建立符合性能、功耗、面积需求的早期设计提供了坚实的基础。

           基于在14LPP技术平台的成功,格芯的7纳米FinFET技术定位于推动下一代的计算应用,满足对超高性能的需求,其应用范围包括高端移动SoC 和云服务器处理器及网络基建。公司的高性能产品得到22FDX® 和12FDX™的增强,而这两项技术都已达到下一代智能连接设备对超低功耗的要求, 此类设备用于移动计算,5G连接,人工智能以及无人驾驶技术。

           格芯的7纳米FinFET将得到完整的基础平台和复杂的IP,包括ASIC产品。实验芯片与来自高端客户的IP已经在8号晶圆厂投入运行。本技术预计将于2017年下半年可用于客户产品设计,将于2018年早期投入风险生产。

关于格芯

           格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问http://www.globalfoundries.com

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