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11月 15

2017

格芯及复旦微电子团队交付下一代双界面智能卡

格芯 55LPx 平台内含嵌入式非易失性存储器和集成射频,助力复旦微电子打造中国最先进的 CPU 银行卡。美国加利福尼亚州圣克拉拉及中国上海,(2017年11月15日)——格芯(GLOBALFOUNDRIES)及上海复旦微电子集团股份有限公司今日宣布,已通过使用格芯55纳米低功率扩展(55LPx...
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9月 29

2017

格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术

先进的8SW 300毫米SOI技术,可以为移动4G LTE以及6GHz以下的5G应用开发成本优化、高性能的射频前端模块中国, 上海 2017年9月29日—格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF...
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9月 29

2017

格芯公布针对下一代5G应用的愿景和路线图

技术平台的独特定位开启“互联智能”向5G过渡的全新时代中国,上海 2017年9月29日 -- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图,这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用领域提供业内范围最广的技术解决方案,...
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9月 26

2017

格芯发布为IBM系统定制的14纳米FinFET技术

共同开发的14HP工艺是全球唯一同时采用FinFET和SOI的技术中国,上海,2017年9月26日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。...
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9月 26

2017

格芯发布基于领先的FDX™ FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

技术解决方案,为下一代高容量无线和物联网应用实现低功耗、低成本的“智能互联” 中国,上海,2017年9月26日 -- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、...
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9月 25

2017

格芯宣布推出基于行业领先的22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

先进的嵌入式非易失内存解决方案在22纳米工艺节点上扩展片上系统(SoC)性能,实现“智能互联”中国,上海(2017年9月25日)——格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。...
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9月 25

2017

格芯为高性能应用推出全新12纳米 FinFET技术

全新12LP技术改善了当前代产品的密度和性能平台增强了下一代汽车电子及射频/模拟应用的性能中国上海(2017年9月25日)——格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米...
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8月 10

2017

格芯展示应用于数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存设计方案

本方案利用2.5D封装技术,低延迟、高带宽内存PHY,使用FX-14™ ASIC设计系统搭建加州圣克拉拉,2017年,8月9日- 格芯在今天公布,已为ASIC的14纳米高性能FinFET FX-14™集成设计平台展示了2.5D封装方案。2.5D ASIC方案与Rambus,Inc.协作开发,...
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8月 03

2017

格芯携手Silicon Mobility,打造业内首款汽车FPCU, 进一步推进混合动力与电动力车辆性能

Silicon Mobility通过格芯的 55nm LPx平台, 配备 SST高可靠性 SuperFlash®内存技术, 增强了汽车性能、能源效率与安全等级 加州圣克拉拉,2017年8月3日 – 格芯与Silicon...
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7月 13

2017

格芯与芯原联袂实现适合次世代物联网的单芯片解决方案

采用格芯的22FDX® 技术的集成解决方案将减少NB-IoT及LTE-M应用的功耗、面积及成本美国加利福尼亚圣克拉拉,及中国上海(2017年7月13日)——今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格罗方德)与芯原微电子(VeriSilicon)共同宣布,将携手为下一代低功耗广域网...
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7月 12

2017

22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎

作者: Gary Dagastine 2017年7月7日 分类: 市场世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,...
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6月 19

2017

格芯和安森美半导体提供业界最低功耗的蓝牙®低能耗SoC系列

55nm LPx RF功能平台,SST高可靠性的嵌入式SuperFlash®,为IoT和“连接”健康与健康设备提供低功耗和低成本的优势。新加坡和加利福尼亚州圣克拉拉,2017年6月19日 – 格芯和安森美半导体(纳斯达克股票代码:ON)今天宣布,在格芯55nm低功耗扩展(55LPx)...
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6月 13

2017

格芯推出面向数据中心、机器学习和5G网络的7纳米专用集成电路平台

FX-7TM产品采用格芯7纳米FinFET工艺,提供业界一流的知识产权及解决方案  加利福尼亚,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路(ASIC)。FX-7是一个集成式设计平台,...
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6月 13

2017

格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

 与原有的14纳米FinFET相比,全新的7LP技术将提升40%的性能  加利福尼亚,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、...
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5月 23

2017

格芯将与成都共同推动实施FD-SOI 生态圈行动计划

将累计投资超过1 亿美元来建立格芯TM FD-SOI 设计卓越中心成都(2017年5月23日)— 5月23日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布,在成都市政府的引导和支持下,双方将协同合作以推动中国半导体产业的创新发展。双方将合作建立一个世界级的FD-SOI生态系统,...
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5月 16

2017

Racyics为格芯的22FDX®技术推出“makeChip”设计服务平台

Racyics将提供IP和设计服务作为FDXcelerator™合作伙伴计划的一部分         2017年5月10日  德累斯顿德国 — Racyics GmbH今天宣布已经推出创新性的设计服务平台“...
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3月 09

2017

InvenSense与格芯合作开发业内领先的超声波指纹成像技术

UltraPrint技术被预期将推动在如玻璃等坚硬物体表面下的超声波指纹方案        加利福尼亚州 圣何塞 2017年3月9日 — InvenSense, Inc. (NYSE: INVN) 是一家领先的MEMS探测器平台供应者,...
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2月 21

2017

格芯宣布推出45nm射频SOI技术来推动5G移动通信

2017年2月21日  优化后的射频特色功能为5G智能手机及基站毫波的波束赋形提供高性能方案            加利福尼亚州圣何塞2017年2月21日 — 今天,格芯宣布了其45纳米射频SOI(45RFSOI)产品的正式投放...
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2月 09

2017

格芯继续扩大产能以满足全球客户需求

2017年2月9日  格芯公司在美国,德国,中国和新加坡增加投资,用于提高其产能。           加利福尼亚州圣克拉拉市, 2017年2月9日      ...
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12月 15

2016

格芯扩展合作伙伴计划,加快FDX™解决方案的上市时间

增加支持确认FDXcelerator™计划在促进GLOBALFOUNDRIES FDX™ 产品组合的更广泛部署方面的关键作用。          加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年12月15日 — 格芯今天宣布,...
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12月 13

2016

格芯在高级14nm FinFET工艺技术演示行业领先的56Gbps长距离SerDes

2016年12月13日   经过验证的ASIC IP解决方案将为下一代高速应用提供显着的性能和功率效率          加利福尼亚州圣克拉拉市, 2016年12月13日    ...
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10月 24

2016

Aquantia宣布针对超大规模数据中心与云计算环境的突破性100G技术

2016年10月24日      格芯合作延展铜互联技术至100G带宽,降低高性能数据中心的网络连接成本新闻提要·       借助格芯在行业内最高性能的56Gbit/s SerDes,...
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9月 29

2016

INVECAS将在GLOBALFOUNDRIES FDX™技术上为明天的智能系统启用ASIC设计

2016年9月29日 INVECAS与GLOBALFOUNDRIES合作,在22FDX®和12FDX™技术上提供IP和端到端ASIC设计服务           加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日  ...
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9月 28

2016

INVECAS和格芯宣布推出用于高性能计算,网络和高端移动应用的高级14nm FinFET设计IP库

2016年9月28日  来自INVECAS的硅经验证和优化的IP现在可用于格芯  14LPP工艺的代工客户            加利福尼亚州圣克拉拉市  2016年9月28日 — 领先的IP,...
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9月 15

2016

格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术

公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图          加州 圣克拉拉,2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、...
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9月 15

2016

格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM

高性能嵌入式非易失性内存方案,是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择         加州圣克拉拉,2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术(eMRAM),基于22FDX®平台,...
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9月 08

2016

格芯使用12nm FD-SOI技术扩展FDX™路线图

2016年9月8日    12FDX™可根据需要提供全节点扩展,超低功耗和性能            加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日     ...
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9月 08

2016

格芯公布生态系统合作伙伴计划,加速未来互联系统的创新

FDXcelerator™合作伙伴计划扩展了生态系统,并促进了格芯的FDX™产品组合的更快更广泛的部署          加利福尼亚州圣克拉拉市   2016年9月8日     ...
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7月 25

2016

格芯任命白农为中国业务发展的总经理

在摩托罗拉,高通,三星和Synaptics拥有经验丰富的领导者将带领推动格芯在中国地区的业务发展         加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 – 格芯今天宣布,白农已被任命为中国区副总裁兼总经理。...
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5月 23

2016

格芯发布性能改进的130nmSiGe射频技术以推动下一代无线网络通信

优化的SiGe8XP技术将为大量的RF应用带来低成本、高性能的毫米波20GHz产品        加州圣克拉拉,2016年5月23日— 格芯今天公布了下一代的射频硅设计方案,并将其添加到其矽鍺高性能技术组合当中。此技术在多方面进一步增强了性能,如行车雷达、...
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3月 15

2016

格芯拓宽了SiGe功率放大器组合,提高了无线设备的射频性能和效率

         加利福尼亚州圣克拉拉市  2016年3月15日    格芯今天宣布推出先进的射频(RF)硅s设计方案,进一步扩大矽锗(SiGe)功率放大器(PA)技术的产品组合,...
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3月 10

2016

格芯发布新7SW SOI射频PDK 配备了独特的最新Keysight技术ADS软件

2016年3月10日 协同设计流程通过利用最佳EDA设计平台来简化射频设计         加州圣克拉拉,2016年3月10日—格芯今天宣布全新的PDK套装已可投入使用。该套装配备了可协同操作的合作设计流程来帮助芯片设计者有效的改进设计,...
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3月 03

2016

格芯任命Alain Mutricy作为产品管理团队负责人

          加利福尼亚州圣克拉拉市  2016年3月3日—  格芯是一家先进半导体制造技术的供应商。格芯今天宣布,Alain Mutricy加入格芯公司担任产品管理集团的高级副总裁。在这个职位上,...
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2月 09

2016

纽约州立大学理工学院和格芯在奥尔巴尼宣布新的500万美元研发计划,以加速下一代芯片技术

 第二款尖端EUV平版印刷工具推出新型图案化中心,这将为SUNY Poly创造超过100个新的高科技工作职位。           纽约州阿尔巴尼 —为支持纽约州州长Andrew M....
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