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IoT

物联网

物联网和云相关技术和平台正在兴起。这种兴起虽然缓慢,但是稳定地推动着新型市场的出现, 塑造新的生活方式。将设备的多功能性与网络和数据中心的功能结合起来,为数据中心的数据进行编组,是将普通计算转变为智能计算的过程。

使用了跨客户端/设备,网络和数据中心的应用实例以及物联网应用,推动了半导体的新需求。包括:超低功耗,超低泄漏,更小更密集的封装以及高效的成本控制。 这些需求是格芯的独特技术和产品的核心。格芯的技术和产品包括低功耗和节能表现,射频,嵌入式存储器,模拟/电源和封装。在半导体级别,这种包括了多样功能的差异化优势提升了用户对物联网的使用体验。

物联网的成功需要不同企业共同合作,进行创新并实现特异化。通过与客户和合作伙伴建立长期的关系,来设计和开发优化的解决方案,并推动卓越的执行-包括高产量和及时交货能力,把握机会,在各自的领域充分第发挥自己的潜力。

市场概述

物联网应用领域的广泛空间

IoT Semiconductor Value

独特之处

The Differentiator – Vertical Integration of Value

格芯的产品

IoT Tiers and Customer Traction

客户的应用

IoT Tiers and Customer Traction

解决方案和资源

处理器/芯片系统

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射频&传感器

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模拟、混合信号 & 供电

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处理器/芯片系统
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  • 射频&传感器
  • 模拟、混合信号 & 供电
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关键物联网要求及适用性矩阵

IOT Positioning Strategy Per Tier

Categorization
格芯产品130nm - 55LPx, 22FDX® (FD-SOI)40nm, 28SLP, 22FDX® (FD-SOI)14LPP, 7nm FinFET, 12FDXTM (FD-SOI), 及以下所示
ClassARM® Cortex® M0到 M3/M4ARM® Cortex® M3/M4到 Cortex®-A9ARM® Cortex®-A9+, Intel Xeon
处理器8-16位16-32位32-64位
速度高达250MHz高达1 GHz超过 1 GHz
内存OTP / MTP: 高达 256KB嵌入式NVM闪存/MTP: 高达2MB外置闪存 > 4GB
操作系统无 / 简单RTOS / 专有系统专有系统/ RTOS /安卓佩戴式移动设备操作系统:安卓/穿戴式系统/iOS HLOS: / Windows 10 IoT 企业版
连接性 (RF)Bluetooth® Smart (BLE) / 15.4, Zigbee –通常为片外设置BLE /15.4, Zigbee, Wi-Fi –集成的手机通信LTE 1类/M类-外置(可选)BLE / 15.4, Wi-Fi, USB; LTE 1类/ M类 /NB-IoT → 5G – 外置
金属层 4-78-10

RF CMOS应用形势与技术映射

IoT Tiers and Customer Traction

RF SOI & SiGe

机器与机器
应用24 GHz77-86 GHz
机器与机器 (M2M)SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave) 
工业级别 4.0SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave) 
智能房屋/建筑SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave) 
 SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave) 
远程医疗/药物SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave)
智能城市/坐标SiGe PA: 5PAe, 1KW5PAe, 5PAx and 1K5PAxSiGe HP: 8HP, 8XP
7SW, 45RFSOI (mmWave) 
SiGe Usage Guidelines7SW, 45RFSOI使用指南
功率放大器高输出功率低到中输出功率
低功率/高频率操作低功率/低到中频操作
低到中数字集成高度数字集成
简化阻抗匹配 / mmWave BEOL简化阻抗匹配 / mmWave BEOL (45RFSOI)
高崩溃电压低至中崩溃电压
高操作电压低至中操作电压
卓越热能稳定性LNA+交换器集成
低噪声系数; 1/f noise 

 

 
格芯在130nm BCDLite 和 55nm BCDLite技术上启用了未来的智能供电系统

针对物联网/穿戴式电源市场:

  • 高效瞬态响应当驱动电流为10-1000mA
  • 低 Iddq,节省功耗
  • 小占用空间方案
 

穿戴式 PMIC


 

关键指标

  • 抗噪音性能
  • 低泄漏制程 (漏电小于单数位微安)
  • 充电电流 (<600mA)
  • 低电流 (10-20mA) 校准器,高 PSRR系数

电池充电器 (线性)

  • 200-400mA 充电器
  • 低RDS-ON , 低漏电

照明

  • <7V BD, 20mA LED驱动
  • 低连波, 单数位毫伏

线性校准器

  • 20mA, 高 PSRR系数 (>90dB 全频率)

SIDO

  • 空间局限导致了对单电感双输出界面的需求
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