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130G/LP/EE 技术和产品简介
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130纳米 BCDLite技术和产品简介
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130纳米 SiGe 高性能技术和产品简介

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14纳米数字设计参照流程的挑战与解决方案
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180纳米 BCDLite技术和产品简介
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180纳米超高电压技术和产品简介
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22FDX 产品概况

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22FDX® 产品简介
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22FDX® 和 eNVM的在汽车平台方面的创新
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28SLP 技术和产品简介
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40LP 技术和产品简介
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55LPx 技术和产品简介
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55nm BCDLite 技术和产品简介
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5G mmWave mobile FEMs using 45RFSOI

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5G毫米波FEM和相控阵的设计创新
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8SW5G sub 6 GHz mobile FEMs using 8SW RF SOI
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Embedded Memory
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Fab 1 - IATF 16949: 2016

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Fab 1 - ISO 50001: 2018

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Fab 1 - ISO 9001: 2015

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Fab 1 Sony Green Partner Certification

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Fab 10 - ISO 14001

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FAB 10 AS9100D: 2016

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Fab 2 - Sony Green Partner Certification

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Fab 3 - Sony Green Partner Certification

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Fab 3E - Sony Green Partner Certification

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Fab 5 - Sony Green Partner Certification

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Fab 5 - Sony Green Partner Certification

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Fab 6 - Sony Green Partner Certification

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Fab 7 - Sony Green Partner Certification

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Fab 8 - ISO 14001

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FAB 8 - ISO 9001: 2015

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Fab 9 (Burlington) - ISO 14001

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Fab 9 - IATF 16949: 2016

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Fab 9 - ISO 9001:2015

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Fab 9 and Fab 10 - Sony Green Partner Certification

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Fab 9 Mask Shop - ISO 9001: 2015

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Fab 9 Post Fab - ANSI ESD s20.20: 2014

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Fab 9 Post Fab -  IEC 61340-5-1: 2016

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Fabs 2, 3, 6, 7 - ISO 14001

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Fabs 2, 3/5, 7 - IATF 16949: 2016

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Fabs 2, 3/5, 7 - ISO 9001: 2015

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Fabs 9 & 10 Product Stewardship - ISO 14001

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FD-SOI 延长摩尔定律的有效性
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FD-SOI 技术创新拓展摩尔定律
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GTC 2019 Panel: "The opportunities and challenges in the coming 5G transition" moderated by Tim Breen, EVP
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ISO 9001

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Mobile & Wireless Infrastructure
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RF Technologies for Next-Generation 5G and Optical Communications Systems
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RFwave 生态系统

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SiGe 供电放大器技术和产品简介

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SiGe或CMOS：优先考虑性能时如何选择合适的工艺。
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SMP (Fab 5) - ISO 14001

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为什么设计师选择 22nm FD-SOI制程技术
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使用RF SOI技术设计下一代手机通讯及WiFi交换器
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先进的5G前端模块的射频矽绝缘体功能
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在6GHz以下低噪放大器应用上使用SiGe和射频SOI
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如何使用Invecas IP最大程度地提升14LPP和22FDX®的性能及节能表现
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如何利用22nm FD-SOI技术构建超低功率芯片
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如何在22FDX®技术上实践ARM® Cortex®-A17处理器
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嵌入式内存
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嵌入式存储器

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成功应用22FDX®SOI技术的五大守则
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格芯公司企业宣传手册
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毫米波芯片技术：解决了5G的处理性能、集成和可负担性问题
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汽车、工业和多市场
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汽车解决方案
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物联网

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针对22FDX 22nm FD-SOI技术的模拟设计研讨会，第一部分：模拟设计最佳实践
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针对22FDX 22nm FD-SOI技术的模拟设计研讨会，第二部分：布局
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针对5G/毫米波相控阵系统的硅芯片技术
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高性能 SiGe BiCMOS 技术

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